非晶態(tài)薄膜材料的薄膜生長也可以采取柱狀的生長方式。如Si、SiO2等材料在較低的溫度下，都可以形成非晶的柱狀結(jié)構(gòu)。對Ge、Si等薄膜材料進行深入研究時，發(fā)現(xiàn)這類材料的柱狀形貌的發(fā)育可以被劃分為納米級的、顯微的，以及宏觀的三種柱狀組織。非晶態(tài)Ge薄膜中30%Au-70%Co合金薄膜是典型的非晶態(tài)薄膜，在平衡狀態(tài)下，這一成分的固態(tài)合金組織應為Au,Co兩組元固溶體的混合物。為抑制晶體核心的形成，將襯底溫度降低至80K后進行蒸發(fā)沉積。在沉積后將薄膜加熱至不同的溫度并觀察其組織變化。